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单片机GD32F205RCT6外扩SRAM

2018-09-18 11:33:57

       GD32F205RCT6是基于Cortex M3内核32bit(位)通用型MUC产品,主频为120MHz, 片内闪存(Flash) 最大为256KB, RAM最大为128KB, 供电电压范围为2.6V-3.6V,内核的供电电压为1 .2V, l/O口可承受5V电平,内嵌实时时钟(RTC) 和2个看门狗(WDG), 集成了丰富的外设功能,这款单片机GD32F205RCT6面向工业和消费类嵌入式应用,适用于工业自动化、人机界面、电机控制、安防监控、智能家居家电及物联网等,  

      单片机GD32F205RCT6内置SRAM为128KB的内存,但在面对实际上的应用设计中,如果出现单片机内置SRAM内存不够的情况,大部分设计人员会考虑外扩SRAM,SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快,也不存在读写限制的问题,确实是考虑外扩内存的首选,但如果采用并口外扩内存需要较多的MCU管脚,给MCU无形中带来了更多功能性的限制,并且也并非大部分的MCU可以支持, 如果采用串行SRAM作为单片机外扩的资源,相对来说更好,串行SRAM只需要八个管脚,SOP-8的封装可以让PCBA减少一定的面板面积,

      GD32F205RCT6这款MCU是支持SPI接口的,并且有三个SPI,可以通过用SPI接口外扩串行SRAM对单片机进行内存的拓展。串行SRAM其实严格来说是一种伪静态SRAM,也有人叫做PSRAM, PSRAM - Pseudo SRAM是一种具有SRAM接口协议(无需刷新,无需DRAM控制器)、具有DRAM单管存储结构的存储器,比SRAM容量大很多,价格便宜很多,比SDRAM容易使用,功耗也低很多。不失为外扩单片机内存的一种解决方案。

      我司推荐一款串行SRAM,容量为8MB并有高达50MB/s的带宽。只需要由SPI或QPI接口并可以使用,可以提供400MB/s或者3.2Gbps的数据吞吐速率。

以下为型号参考:

Density Organization Part NO. Vcc(V) Speed(MHz) Bus Modes Temp. Package
64Mbit 8M x 8 VTI7064LSM 1.8 104 SQI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064MSM 3 104 SQI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064MSM 3 20 SPI C,I 8-SOIC
32Mbit 4M x 8 VTI7032LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
32Mbit 4M x 8 VTI7032LSM 1.8 133 SQI C,I 8-SOIC
16Mbit 2M x 8 VTI7016LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
16Mbit 2M x 8 VTI7016LSM 1.8 133 SQI C,I 8-SOIC
1Mbit 128K x 8 VTI7001LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
1Mbit 128K x 8 VTI7001NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
512Kbit 64K x 8 VTI7512LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
512Kbit 64K x 8 VTI7512NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
256Kbit 32K x 8 VTI7256LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
256Kbit 32K x 8 VTI7256NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
128Kbit 16K x 8 VTI7128LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
128Kbit 16K x 8 VTI7128NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC


本文关键词:SRAM

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